Strain-Engineered MOSFETs
Cuốn sách này tập trung vào những phát triển gần đây trong MOSFET kỹ thuật ứng suất được triển khai trong các chất nền có tính di động cao như Ge, SiGe, Si ứng suất, nền tảng germani siêu mỏng trên chất cách điện, kết hợp với chất cách điện k cao và cổng kim loại.